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🧠 China da un paso clave: presenta su primer chip de 3 nm con litografía propia

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China ha dado un golpe sobre la mesa en el tablero tecnológico global: presentó oficialmente su primer chip de 3 nanómetros desarrollado con tecnología de litografía propia, una jugada que podría reconfigurar el mapa de poder en la industria de los semiconductores.

La información fue divulgada en medios especializados como TechNode y Tom’s Hardware, destacando que esta innovación se logró sin depender de la holandesa ASML, principal proveedora de equipos de litografía extrema (EUV), a la que China tiene el acceso restringido por sanciones impulsadas por Estados Unidos.

El chip fue fabricado por la empresa SMIC (Semiconductor Manufacturing International Corporation), que habría utilizado una tecnología DUV (Deep Ultraviolet) optimizada con herramientas desarrolladas localmente, junto con nuevos procesos de diseño e integración vertical de fabricación.

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Este avance se interpreta como una respuesta directa a las crecientes sanciones y bloqueos tecnológicos occidentales, especialmente en un contexto de creciente tensión entre Beijing y Washington. Además, demuestra que el país asiático está dispuesto a invertir y desarrollar toda la cadena de suministro, incluso en las partes más complejas del proceso.

Desde hace años, China apunta a lograr la autosuficiencia en sectores clave como la inteligencia artificial, telecomunicaciones y microelectrónica, y este chip es una señal clara de que el objetivo no es sólo político, sino también tecnológicamente viable.

Aún no se conocen detalles sobre el rendimiento real, la eficiencia energética o la capacidad de producción en masa de estos chips, pero el simbolismo geopolítico es enorme: China puede avanzar incluso sin acceso a la tecnología más avanzada del mundo occidental.

-“Zhou Zixuan afirmó Este desarrollo no solo demuestra capacidad técnica, sino una voluntad estratégica de resistir la presión y continuar innovando”, analista de la Universidad de Pekín citado por medios chinos.

“Ya no se trata solo de hacer chips, sino de controlar la tecnología que los hace posibles”, destacó el medio South China Morning Post.

¿Avance tecnológico o jugada geopolítica? ¿Puede China liderar sin ASML ni TSMC? Lo cierto es que la carrera tecnológica global acaba de entrar en una nueva fase

🧩 Avances clave del chip 3 nm de China con litografía propia

1. ¿Quién está detrás del desarrollo?

  • SMIC (Semiconductor Manufacturing International Corporation), el principal fabricante de chips de China, lidera la producción, trabajando en conjunto con Huawei para impulsar la litografía DUV con múltiples patrones (doble, triple o cuádruple patterning) en el nodo de 3 nm .
  • Se utilizan tecnologías como transistores GAA (Gate-All-Around) —al estilo de Samsung— para mejorar eficiencia energética y rendimiento .

2. ¿Qué tipo de litografía se usa (DUV y EUV)?

  • DUV optimizada: Debido a las sanciones que bloquean la importación de equipos EUV de ASML, China está adaptando la litografía profunda ultravioleta (DUV) mediante múltiples impresiones en los wafers y técnicas avanzadas como “self-aligned quadruple patterning” .
  • EUV propia en desarrollo: Se están probando sistemas nacionales de EUV basados en tecnología LDP (laser-induced discharge plasma), con pruebas en Huawei Dongguan programadas para el tercer trimestre de 2025 y posible producción masiva en 2026 .

3. Rendimiento y procesamiento

  • En los transistores GAA se logra mayor densidad, menor fuga de corriente y más potencia por área, alineándose con procesos punteros globales .
  • No hay cifras públicas de rendimiento energético o benchmarking específico; SMIC y Huawei mantienen en reserva estos datos, pero se espera que alcancen capacidades competitivas con Samsung y TSMC.

4. Estado de diseño y producción

  • Huawei ya completó la fase de tape-out para su propio SoC de 3 nm (llamado tentativamente XRING O1), y SMIC planifica iniciar producción en masa hacia 2026 .
  • A modo de referencia, Xiaomi también anunció un diseño de 3 nm (XRING O1) con producción bajo proceso de TSMC , subrayando un ecosistema de diseño activo dentro de China.

5. Limitaciones actuales

  • Cómo las sanciones impactan: A pesar de los avances, el litografía nacional todavía requiere múltiples patrones en DUV, lo que disminuye el rendimiento y aumenta costos .
  • Escasez de herramientas de diseño: China depende en gran medida de software EDA de Synopsys y Cadence. Aunque existen esfuerzos de desarrollo local, la dependencia persiste .
  • Materiales y suministros: La industria nacional aún carece de acceso pleno a materiales de alta pureza anteriores, especialmente resist y sustratos avanzados .

🧭 Interpretación estratégica

  • Resiliencia ante sanciones: Los bloqueos de EE. UU. han impulsado una respuesta china: “en lugar de frenar a China, las sanciones pueden estar acelerando su industria” .
  • Camino hacia la autosuficiencia: El desarrollo de EUV nacional, junto con empresas como SMEE (que trabaja en escáneres EUV/DUV) y SiCarrier, refuerza la cadena doméstica .
  • Competencia global: Si bien aún no iguala a TSMC o Samsung, China se posiciona para convertirse en el único país con EUV fuera de los Países Bajos, si logra superar los desafíos técnicos y de rendimiento.

✅ Conclusión

China ha logrado fabricar un chip funcional de 3 nm usando litografía doméstica DUV y transistores GAA, con planes de producción en masa para 2026. Aunque enfrenta retos en rendimiento productivo, herramientas y material, su apuesta por EUV propia y la creación de un ecosistema local robusto marcan un cambio estratégico profundo. Este desarrollo representa un desafío serio al dominio tecnológico occidental.

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